Изучение ПЗУ #3
Labels
No Label
No Milestone
No project
No Assignees
1 Participants
Notifications
Due Date
No due date set.
Dependencies
No dependencies set.
Reference: ICS-Microprocessor-2020/Modbus_1_Deva4ki#3
Loading…
Reference in New Issue
Block a user
No description provided.
Delete Branch "%!s()"
Deleting a branch is permanent. Although the deleted branch may continue to exist for a short time before it actually gets removed, it CANNOT be undone in most cases. Continue?
Флэш-память. Стирание происходит сразу для большого блока ячеек, что позволяет снизить время записи.
EEPROM. Память такого типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз. Из недостатков - долгое время стирания.
Обзор. В этом разделе описываются различные типы памяти в устройстве. Архитектура AVR имеет два основных пространства памяти: память данных и пространство памяти программ. Кроме того, устройство оснащено памятью EEPROM для хранения данных. Все пространства памяти линейны и регулярны.
Внутрисистемная перепрограммируемая флэш-память программ.
ATmega328 содержит 32 Кбайт встроенной внутрисистемной перепрограммируемой флэш-памяти для хранения программ. Поскольку все инструкции AVR имеют ширину 16 или 32 бита, флэш-память организована как 16K x 16.
Счетчик программ ATmega328 имеет разрядность 14 бит, что позволяет адресовать 16К ячеек памяти программ. Обратитесь к разделу «Программирование памяти» для получения описания последовательной загрузки данных во флэш-память с использованием контактов SPI или интерфейса JTAG.
Таблицы констант могут быть размещены в пределах всего адресного пространства памяти программ с помощью команды Load Program Memory.
Временные диаграммы для выборки и выполнения инструкций представлены в разделе «Время выполнения инструкций».
Память данных EEPROM.
ATmega328 содержит 1 кбайт памяти EEPROM данных. Он организован как отдельное пространство данных, в котором можно читать и записывать отдельные байты. Доступ между EEPROM и ЦП описан ниже с указанием адресных регистров EEPROM, управляющего регистра EEPROM.
Подробное описание программирования EEPROM в режиме SPI или параллельного программирования см. по соответствующим ссылкам.
Доступ для чтения/записи EEPROM
Регистры доступа EEPROM доступны в пространстве ввода-вывода.
Время доступа для записи в EEPROM указано в таблице 10-2. Однако функция автосинхронизации позволяет
пользовательское программное обеспечение определяет, когда можно записать следующий байт. Если пользовательский код содержит инструкции, которые записывают
EEPROM, необходимо принять некоторые меры предосторожности. В источниках питания с сильной фильтрацией напряжение VCC, скорее всего, возрастет или
медленно падают при включении/выключении. Это приводит к тому, что устройство в течение некоторого периода времени работает при напряжении ниже
меньше указанного минимума для используемой тактовой частоты. См. Предотвращение повреждения EEPROM.
для получения подробной информации о том, как избежать проблем в таких ситуациях.
Чтобы предотвратить непреднамеренную запись в EEPROM, необходимо соблюдать определенную процедуру записи. Ссылаться на
описание регистра управления EEPROM для получения подробной информации об этом.
При чтении EEPROM процессор останавливается на четыре такта, прежде чем будет выполнена следующая инструкция.
казнен. При записи EEPROM ЦП останавливается на два такта перед следующей инструкцией.
выполняется.
Предотвращение повреждения EEPROM
Во время периодов низкого VCC данные EEPROM могут быть повреждены, потому что напряжение питания слишком низкое для
ЦП и EEPROM должны работать правильно. Эти проблемы такие же, как и для систем на уровне платы.
с использованием EEPROM, и должны применяться те же конструктивные решения.
Повреждение данных EEPROM может быть вызвано двумя ситуациями, когда напряжение слишком низкое. Во-первых, обычный
последовательность записи в EEPROM требует минимального напряжения для правильной работы. Во-вторых, сам процессор.
может неправильно выполнять инструкции, если напряжение питания слишком низкое.
Повреждения данных EEPROM можно легко избежать, следуя этой рекомендации по проектированию:
Держите AVR RESET активным (низкий уровень) в периоды недостаточного напряжения питания. Это можно сделать
путем включения внутреннего детектора пониженного напряжения (BOD). Если уровень обнаружения внутреннего БПК не
соответствует необходимому уровню обнаружения, можно использовать внешнюю схему защиты сброса низкого напряжения VCC. Если сброс
происходит во время выполнения операции записи, операция записи будет завершена при условии, что
напряжения питания достаточно.
Для записи в ПЗУ
Для чтения из ПЗУ
Используемое устройство оснащено памятью EEPORM для хранения данных.
EEPROM - память, к которой имеется полный доступ из выполняющейся программы, то есть можно во время выполнения читать и записывать данные, и эти данные не сбрасываются при перезагрузке микроконтроллера.
Преимущества EEPROM:
Недостатком EEPROM является ограниченое число перезаписи ячеек. Производитель гарантирует 100000 циклов записи каждой ячейки, по факту это количество зависит от конкретного чипа и температурных условий. При этом количество чтения каждой ячейки неограниченно.
EEPORM представляет собой область памяти, состоящую из элементарных ячеек с размером в один байт. Объем EEPROM разный у разных моделей. В нашем случае - 1 КБ.
Основная задача при работе с EEPROM - не запутаться с адресами, потому что каждый байт имеет вой адрес. Если писать двихбайтные данные, то они займут два байта, и следующие данные нужно будет писать по адресу как минимум +2 к предыдущему, иначе они "перемешаются".
Доступ к EEPROM осуществляется с помощью специальных регистров: EEAR - регистр адреса, EEDR - регистр данных, EECR - регистр управления.
Для управления прерываниями, а также чтением и записью в EEPROM используется регистр управления.
Идеально все сбрасывать до заводских настроек.
И адрес - это будет константа. Изначально не должно быть на ПЗУ ничего
https://chipenable.ru/index.php/programming-avr/153-avr-rabota-s-eeprom-na-si.html#:~:text=Регистр%20адреса%20EEAR%20(EEPROM%20Address,ввода%2Fвывода%20–%20EEARH%20и%20EEARL